ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16320E-5BLI-TR

KEY Part #: K936946

IS43R16320E-5BLI-TR Preise (USD) [15486Stück Lager]

  • 1 pcs$2.95896

Artikelnummer:
IS43R16320E-5BLI-TR
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Uhr / Timing - IC-Batterien, PMIC - Stromversorgungscontroller, Monitore, PMIC - Spannungsregler - Linear + Schalten, Logik - Schieberegister, PMIC - Lasertreiber, Embedded - Mikrocontroller, Mikroprozessor, FPGA-M, Linear - Verstärker - Spezialanwendungen and Schnittstelle - Treiber, Empfänger, Transceiver ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5BLI-TR elektronische Komponenten. IS43R16320E-5BLI-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS43R16320E-5BLI-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R16320E-5BLI-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS43R16320E-5BLI-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR
Speichergröße : 512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 700ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-TFBGA
Supplier Device Package : 60-TFBGA (13x8)

Neuesten Nachrichten

Sie könnten auch interessiert sein an
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM