APT100GN60B2G Preise (USD) [9905Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT100GN60B2G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 229A 625W TMAX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
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APT100GN60B2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT100GN60B2G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 600V 229A 625W TMAX
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
229A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
300A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.85V @ 15V, 100A
Leistung max :
625W
Energie wechseln :
4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
600nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
31ns/310ns
Testbedingung :
400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
Supplier Device Package :
-
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