NSBA123JDP6T5G Preise (USD) [957720Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NSBA123JDP6T5G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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NSBA123JDP6T5G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NSBA123JDP6T5G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
-
Leistung max :
408mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-963
Supplier Device Package :
SOT-963
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