Artikelnummer :
ES1DL MHG
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
950mV @ 1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F :
10pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Sub SMA
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C