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- Artikelnummer:
- VS-GT100TP120N
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
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VS-GT100TP120N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VS-GT100TP120N
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
Trench
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
180A
Leistung max :
652W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
12.8nF @ 30V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package :
INT-A-PAK
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