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Microsemi Corporation - JANTXV1N6625US

KEY Part #: K6448504

JANTXV1N6625US Preise (USD) [4051Stück Lager]

  • 1 pcs$10.69324
Artikelnummer:
JANTXV1N6625US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N6625US elektronische Komponenten. JANTXV1N6625US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N6625US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6625US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N6625US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
Serie : Military, MIL-PRF-19500/585
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.75V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 60ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 1100V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, A
Supplier Device Package : D-5A
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

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