Toshiba Semiconductor and Storage - DF10G6M4N,LF

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Artikelnummer:
DF10G6M4N,LF
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF10G6M4N,LF Produkteigenschaften

Artikelnummer : DF10G6M4N,LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN
Serie : -
Teilestatus : Active
Art : Zener
Unidirektionale Kanäle : -
Bidirektionale Kanäle : 4
Spannung - Reverse Standoff (Typ) : 5.5V (Max)
Spannung - Durchschlag (min.) : 5.6V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp : 25V
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) : 2A (8/20µs)
Leistung - Spitzenimpuls : 30W
Stromleitungsschutz : No
Anwendungen : General Purpose
Kapazität bei Frequenz : 0.2pF @ 1MHz
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 10-UFDFN
Supplier Device Package : 10-DFN (2.5x1)

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