VB20120S-E3/8W Preise (USD) [89567Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- VB20120S-E3/8W
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VB20120S-E3/8W elektronische Komponenten. VB20120S-E3/8W kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VB20120S-E3/8W haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
VB20120S-E3/8W Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VB20120S-E3/8W
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB
Serie :
TMBS®
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
120V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.12V @ 20A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
300µA @ 120V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 150°C
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