ON Semiconductor - ISL9R860S3ST

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ISL9R860S3ST Preise (USD) [102147Stück Lager]

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Artikelnummer:
ISL9R860S3ST
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A 600V
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - Thyristoren and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ISL9R860S3ST Produkteigenschaften

Artikelnummer : ISL9R860S3ST
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2
Serie : Stealth™
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.4V @ 8A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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