Microsemi Corporation - APTGT75H60T1G

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Artikelnummer:
APTGT75H60T1G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT75H60T1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTGT75H60T1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Full Bridge Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A
Leistung max : 250W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 4.62nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP1
Supplier Device Package : SP1