NJVMJD112T4G Preise (USD) [293907Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NJVMJD112T4G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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NJVMJD112T4G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NJVMJD112T4G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Darlington
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
2A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
100V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
1000 @ 2A, 3V
Leistung max :
20W
Frequenz - Übergang :
25MHz
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
DPAK
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