IXYS - IXTH2N300P3HV

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IXTH2N300P3HV Preise (USD) [2868Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTH2N300P3HV
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH2N300P3HV Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTH2N300P3HV
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 3000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1890pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 520W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247HV
Paket / fall : TO-247-3

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