GeneSiC Semiconductor - 1N8035-GA

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1N8035-GA Preise (USD) [2267Stück Lager]

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Artikelnummer:
1N8035-GA
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8035-GA Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N8035-GA
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 14.6A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 15A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : 1107pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-276AA
Supplier Device Package : TO-276
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 250°C
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