Infineon Technologies - DD1200S45KL3B5NOSA1

KEY Part #: K6472772

DD1200S45KL3B5NOSA1 Preise (USD) [51Stück Lager]

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Artikelnummer:
DD1200S45KL3B5NOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 1200V 1200A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - spezieller Zweck ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DD1200S45KL3B5NOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DD1200S45KL3B5NOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE MODULE 1200V 1200A
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 2 Independent
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 4500V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : -
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 3.1V @ 1200A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1500A @ 2800V
Betriebstemperatur - Übergang : -50°C ~ 125°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : A-IHV130-4

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