Alliance Memory, Inc. - AS4C8M16SA-6BAN

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Artikelnummer:
AS4C8M16SA-6BAN
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Schnittstelle - Signalpuffer, Repeater, Splitter, PMIC - RMS-zu-DC-Wandler, Linear - Videoverarbeitung, Speicher - Batterien, Schnittstelle - direkte digitale Synthese (DDS), PMIC - V / F- und F / V-Wandler, Logik - Gates und Inverter and Datenerfassung - digitale Potentiometer ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6BAN elektronische Komponenten. AS4C8M16SA-6BAN kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AS4C8M16SA-6BAN haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C8M16SA-6BAN Produkteigenschaften

Artikelnummer : AS4C8M16SA-6BAN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Serie : Automotive, AEC-Q100
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM
Speichergröße : 128Mb (8M x 16)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 54-TFBGA
Supplier Device Package : 54-TFBGA (8x8)

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