Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT75NP120N

KEY Part #: K6533602

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    Artikelnummer:
    VS-GT75NP120N
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT75NP120N elektronische Komponenten. VS-GT75NP120N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VS-GT75NP120N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-GT75NP120N Produkteigenschaften

    Artikelnummer : VS-GT75NP120N
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : -
    Aufbau : Single
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 150A
    Leistung max : 446W
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.08V @ 15V, 75A (Typ)
    Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 9.45nF @ 30V
    Eingang : Standard
    NTC-Thermistor : No
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : INT-A-PAK (3 + 4)
    Supplier Device Package : INT-A-PAK

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