Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
NPN SILICON TRANSISTOR
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
200mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1000V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
30 @ 20mA, 10V
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Supplier Device Package :
TO-5