Microsemi Corporation - JAN1N3600

KEY Part #: K6442457

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    Artikelnummer:
    JAN1N3600
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N3600 elektronische Komponenten. JAN1N3600 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N3600 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N3600 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : JAN1N3600
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
    Serie : Military, MIL-PRF-19500/231
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA (DC)
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
    Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 50V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : DO-204AA, DO-7, Axial
    Supplier Device Package : DO-7
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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