Microsemi Corporation - 1N3600

KEY Part #: K6426054

1N3600 Preise (USD) [73205Stück Lager]

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Artikelnummer:
1N3600
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3600 Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N3600
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package : DO-35
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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