ISL9R18120S3ST Preise (USD) [59260Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ISL9R18120S3ST
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching 18A 1200V Stealt
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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ISL9R18120S3ST Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ISL9R18120S3ST
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
Serie :
Stealth™
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
18A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
3.3V @ 18A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
300ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 175°C
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