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- Artikelnummer:
- S3MHE3/57T
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division S3MHE3/57T elektronische Komponenten. S3MHE3/57T kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu S3MHE3/57T haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
S3MHE3/57T Produkteigenschaften
Artikelnummer :
S3MHE3/57T
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.15V @ 2.5A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
2.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AB, SMC
Supplier Device Package :
DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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