Vishay Semiconductor Diodes Division - RGF1MHE3/67A

KEY Part #: K6446292

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    Artikelnummer:
    RGF1MHE3/67A
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1MHE3/67A elektronische Komponenten. RGF1MHE3/67A kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RGF1MHE3/67A haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RGF1MHE3/67A Produkteigenschaften

    Artikelnummer : RGF1MHE3/67A
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
    Serie : SUPERECTIFIER®
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 500ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 1000V
    Kapazität @ Vr, F : 8.5pF @ 4V, 1MHz
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : DO-214BA
    Supplier Device Package : DO-214BA (GF1)
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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