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GeneSiC Semiconductor - MUR20060CTR

KEY Part #: K6468863

MUR20060CTR Preise (USD) [1194Stück Lager]

  • 1 pcs$36.26045
  • 25 pcs$29.08672
Artikelnummer:
MUR20060CTR
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MUR20060CTR elektronische Komponenten. MUR20060CTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MUR20060CTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR20060CTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : MUR20060CTR
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 50A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 110ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 50V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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