Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
-
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C