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- Artikelnummer:
- IDV30E65D2XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers IGBT PRODUCTS
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IDV30E65D2XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IDV30E65D2XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
30A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.2V @ 30A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
42ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
40µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package :
PG-TO220-2 Full Pack
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
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