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- Artikelnummer:
- AS4C16M16S-6BIN
- Hersteller:
- Alliance Memory, Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Linear - Verstärker - Instrumentierung, Operations, PMIC - Aktuelle Verordnung / Management, Embedded - System On Chip (SoC), Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, Embedded - Mikrocontroller, Schnittstelle - UARTs (Universal Asynchronous Rece, Schnittstelle - Modems - ICs und Module and Clock / Timing - Programmierbare Timer und Oszilla ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6BIN elektronische Komponenten. AS4C16M16S-6BIN kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AS4C16M16S-6BIN haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
AS4C16M16S-6BIN Produkteigenschaften
Artikelnummer :
AS4C16M16S-6BIN
Hersteller :
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM
Speichergröße :
256Mb (16M x 16)
Taktfrequenz :
166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
12ns
Zugriffszeit :
5.4ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
54-TFBGA
Supplier Device Package :
54-TFBGA (8x8)
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