NJVNJD35N04G Preise (USD) [101653Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NJVNJD35N04G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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NJVNJD35N04G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NJVNJD35N04G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Darlington
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
4A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
350V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
1.5V @ 20mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
2000 @ 2A, 2V
Leistung max :
45W
Frequenz - Übergang :
90MHz
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
DPAK
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