Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU8K-5410E3/51

KEY Part #: K6541017

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    Artikelnummer:
    GBU8K-5410E3/51
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBU.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - IGBTs - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division GBU8K-5410E3/51 elektronische Komponenten. GBU8K-5410E3/51 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GBU8K-5410E3/51 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GBU8K-5410E3/51 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : GBU8K-5410E3/51
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBU
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Single Phase
    Technologie : Standard
    Spannung - Peak Reverse (Max) : 800V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3.9A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 8A
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : 4-SIP, GBU
    Supplier Device Package : GBU

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