Artikelnummer :
70T633S12BFGI
Hersteller :
IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung :
IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
Technologie :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße :
9Mb (512K x 18)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
12ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
208-CABGA (15x15)