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Microsemi Corporation - APT25GN120B2DQ2G

KEY Part #: K6422254

APT25GN120B2DQ2G Preise (USD) [9465Stück Lager]

  • 1 pcs$4.37589
  • 56 pcs$4.35412
Artikelnummer:
APT25GN120B2DQ2G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 67A 272W TMAX.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT25GN120B2DQ2G elektronische Komponenten. APT25GN120B2DQ2G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT25GN120B2DQ2G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT25GN120B2DQ2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT25GN120B2DQ2G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : NPT, Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 67A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 75A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 25A
Leistung max : 272W
Energie wechseln : 2.15µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 155nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 22ns/280ns
Testbedingung : 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3 Variant
Supplier Device Package : -

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