Microsemi Corporation - APT25GN120B2DQ2G

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Artikelnummer:
APT25GN120B2DQ2G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 67A 272W TMAX.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - RF and Dioden - Brückengleichrichter ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT25GN120B2DQ2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT25GN120B2DQ2G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : NPT, Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 67A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 75A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 25A
Leistung max : 272W
Energie wechseln : 2.15µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 155nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 22ns/280ns
Testbedingung : 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3 Variant
Supplier Device Package : -

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