HN1D01FE(TE85L,F) Preise (USD) [1113349Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- HN1D01FE(TE85L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FE(TE85L,F) elektronische Komponenten. HN1D01FE(TE85L,F) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HN1D01FE(TE85L,F) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
HN1D01FE(TE85L,F) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HN1D01FE(TE85L,F)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodenkonfiguration :
2 Pair Common Anode
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) :
100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 100mA
Geschwindigkeit :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) :
1.6ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
500nA @ 80V
Betriebstemperatur - Übergang :
150°C (Max)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
ES6
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