Artikelnummer :
70T3339S200BC8
Hersteller :
IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung :
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Technologie :
SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße :
9Mb (512K x 18)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur :
0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
256-CABGA (17x17)