IXYS - IXTU01N100

KEY Part #: K6394553

IXTU01N100 Preise (USD) [50552Stück Lager]

  • 1 pcs$0.89400
  • 50 pcs$0.88955

Artikelnummer:
IXTU01N100
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTU01N100 elektronische Komponenten. IXTU01N100 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTU01N100 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTU01N100 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTU01N100
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 54pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 25W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-251
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA