Artikelnummer :
IR25600PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IC DUAL MOSFET IGBT 8-DIP
Angetriebene Konfiguration :
Low-Side
Gate-Typ :
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
6V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH :
0.8V, 2.7V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
2.3A, 3.3A
Eingabetyp :
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
15ns, 10ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package :
8-PDIP