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GeneSiC Semiconductor - MBR30035CT

KEY Part #: K6468898

MBR30035CT Preise (USD) [1351Stück Lager]

  • 1 pcs$32.04294
  • 25 pcs$24.32084
Artikelnummer:
MBR30035CT
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 300A Schottky Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR30035CT elektronische Komponenten. MBR30035CT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR30035CT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR30035CT Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR30035CT
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 35V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 650mV @ 150A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 8mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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