Infineon Technologies - FF900R12IE4VPBOSA1

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FF900R12IE4VPBOSA1 Preise (USD) [154Stück Lager]

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Artikelnummer:
FF900R12IE4VPBOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MODULE IGBT PRIME2-1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Thyristoren - TRIACs ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF900R12IE4VPBOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FF900R12IE4VPBOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MODULE IGBT PRIME2-1
Serie : PrimePack™2
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 900A
Leistung max : 20mW
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 900A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 54nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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