Artikelnummer :
ES1JF R3G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FL
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
9pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-221AC, SMA Flat Leads
Supplier Device Package :
SMA-FL
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C