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Microsemi Corporation - 1N5999B

KEY Part #: K6484812

1N5999B Preise (USD) [25746Stück Lager]

  • 1 pcs$1.60083
  • 455 pcs$0.85084
Artikelnummer:
1N5999B
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35. Zener Diodes Zener Diodes
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation 1N5999B elektronische Komponenten. 1N5999B kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N5999B haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5999B Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N5999B
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Serie : -
Teilestatus : Active
Spannung - Zener (Nom) (Vz) : 9.1V
Toleranz : ±5%
Leistung max : 500mW
Impedanz (max.) (Zzt) : 10 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 7V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 200mA
Betriebstemperatur : -65°C ~ 175°C
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package : DO-35

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