Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2GHE3_A/H

KEY Part #: K6451064

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Artikelnummer:
ES2GHE3_A/H
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,400V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2GHE3_A/H Produkteigenschaften

Artikelnummer : ES2GHE3_A/H
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 300V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 2A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AA, SMB
Supplier Device Package : DO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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