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GeneSiC Semiconductor - MURTA20060R

KEY Part #: K6468682

MURTA20060R Preise (USD) [893Stück Lager]

  • 1 pcs$52.02314
  • 18 pcs$36.55488
Artikelnummer:
MURTA20060R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER. Rectifiers 600V 200A Si Super Fast Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MURTA20060R elektronische Komponenten. MURTA20060R kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MURTA20060R haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA20060R Produkteigenschaften

Artikelnummer : MURTA20060R
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 100A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 600V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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