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Microsemi Corporation - APT25GP90BDQ1G

KEY Part #: K6423432

APT25GP90BDQ1G Preise (USD) [9614Stück Lager]

  • 1 pcs$4.28639
  • 57 pcs$4.28639
Artikelnummer:
APT25GP90BDQ1G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 900V 72A 417W TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
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Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT25GP90BDQ1G elektronische Komponenten. APT25GP90BDQ1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT25GP90BDQ1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT25GP90BDQ1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT25GP90BDQ1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 900V 72A 417W TO247
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 900V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 72A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 110A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 25A
Leistung max : 417W
Energie wechseln : 370µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 110nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 13ns/55ns
Testbedingung : 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247 [B]

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