ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400E-6BLI

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Artikelnummer:
IS43R86400E-6BLI
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8, IT
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Datenerfassung - analoges Frontend (AFE), PMIC - ODER - Controller, ideale Dioden, PMIC - Voll- und Halbbrückentreiber, Logik - Multivibratoren, Linear - Analoge Multiplikatoren, Teiler, PMIC - Spannungsregler - Spezialanwendungen, Schnittstelle - Sensor- und Detektorschnittstellen and PMIC - AC DC Converter, Offline-Umschalter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6BLI elektronische Komponenten. IS43R86400E-6BLI kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS43R86400E-6BLI haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R86400E-6BLI Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS43R86400E-6BLI
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR
Speichergröße : 512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 700ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-TFBGA
Supplier Device Package : 60-TFBGA (13x8)

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