Infineon Technologies - F3L15R12W2H3B27BOMA1

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F3L15R12W2H3B27BOMA1 Preise (USD) [1688Stück Lager]

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Artikelnummer:
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE VCES 1200V 15A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - IGBTs - Single ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F3L15R12W2H3B27BOMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : F3L15R12W2H3B27BOMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE VCES 1200V 15A
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : 3 Independent
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 20A
Leistung max : 145W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 15A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 875pF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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