Vishay Semiconductor Diodes Division - GBUE2560-M3/P

KEY Part #: K6542570

GBUE2560-M3/P Preise (USD) [24228Stück Lager]

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Artikelnummer:
GBUE2560-M3/P
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU. Bridge Rectifiers 600V Vrrm; 25A If Case Style GBU
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBUE2560-M3/P Produkteigenschaften

Artikelnummer : GBUE2560-M3/P
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Single Phase
Technologie : Standard
Spannung - Peak Reverse (Max) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 4.9A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 12.5A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 4-SIP, GBU
Supplier Device Package : GBU

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