Infineon Technologies - FP100R07N3E4BOSA1

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FP100R07N3E4BOSA1 Preise (USD) [746Stück Lager]

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Artikelnummer:
FP100R07N3E4BOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE VCES 600V 100A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs and Transistoren - spezieller Zweck ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP100R07N3E4BOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FP100R07N3E4BOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE VCES 600V 100A
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A
Leistung max : 335W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 6.2nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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