RGTH00TS65DGC11 Preise (USD) [18373Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RGTH00TS65DGC11
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 650V 85A 277W TO-247N.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RGTH00TS65DGC11 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RGTH00TS65DGC11
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
85A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 50A
Leistung max :
277W
Energie wechseln :
-
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
94nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
39ns/143ns
Testbedingung :
400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
54ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247N
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