Toshiba Semiconductor and Storage - HN1D02FU(T5L,F,T)

KEY Part #: K6474712

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    Artikelnummer:
    HN1D02FU(T5L,F,T)
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU(T5L,F,T) elektronische Komponenten. HN1D02FU(T5L,F,T) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HN1D02FU(T5L,F,T) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN1D02FU(T5L,F,T) Produkteigenschaften

    Artikelnummer : HN1D02FU(T5L,F,T)
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
    Serie : -
    Teilestatus : Active
    Diodenkonfiguration : 2 Pair Common Cathode
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 100mA
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 100mA
    Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 80V
    Betriebstemperatur - Übergang : 125°C (Max)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SOT-563, SOT-666
    Supplier Device Package : US6

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