Toshiba Semiconductor and Storage - HN1D02FU(T5L,F,T)

KEY Part #: K6474712

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    Artikelnummer:
    HN1D02FU(T5L,F,T)
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN1D02FU(T5L,F,T) Produkteigenschaften

    Artikelnummer : HN1D02FU(T5L,F,T)
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
    Serie : -
    Teilestatus : Active
    Diodenkonfiguration : 2 Pair Common Cathode
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 100mA
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 100mA
    Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 80V
    Betriebstemperatur - Übergang : 125°C (Max)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SOT-563, SOT-666
    Supplier Device Package : US6

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