CMF03(TE12L,Q,M) Preise (USD) [644086Stück Lager]
- 1 pcs$0.05743
- Artikelnummer:
- CMF03(TE12L,Q,M)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 900V 500MA M-FLAT. Diodes - General Purpose, Power, Switching 900V 1A M-FLAT
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage CMF03(TE12L,Q,M) elektronische Komponenten. CMF03(TE12L,Q,M) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CMF03(TE12L,Q,M) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
CMF03(TE12L,Q,M) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CMF03(TE12L,Q,M)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 900V 500MA M-FLAT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
900V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
500mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.5V @ 500mA
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
100ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
50µA @ 900V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOD-128
Supplier Device Package :
M-FLAT (2.4x3.8)
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 125°C
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