Micron Technology Inc. - EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

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EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D Preise (USD) [7842Stück Lager]

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Artikelnummer:
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
Hersteller:
Micron Technology Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ. DRAM LPDDR2 4G 128MX32 FBGA
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Clock / Timing - Verzögerungszeilen, PMIC - Anzeigetreiber, PMIC - Spannungsreferenz, PMIC - Spannungsregler - Lineare Reglerregler, Schnittstelle - Filter - Aktiv, PMIC - Spannungsregler - DC DC Schaltregler, Schnittstelle - Encoder, Decoder, Konverter and PMIC - Spannungsregler - Spezialanwendungen ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D Produkteigenschaften

Artikelnummer : EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße : 4Gb (128M x 32)
Taktfrequenz : 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart : -
Paket / fall : -
Supplier Device Package : -