Artikelnummer :
RN1102MFV,L3F
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
VESM